Расчет схем на транзисторах pdf

расчет схем на транзисторах pdf
Недостатки составного транзистора: Низкое быстродействие, особенно в ключевом режиме при переходе из открытого состояния в закрытое. Составной транзистор имеет три электрических вывода, которые эквивалентны выводам базы, эмиттера и коллектора обычного одиночного транзистора. Обычно сопротивление R1 выбирают величиной сотни ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько килоом в маломощном транзисторе Дарлингтона.


Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде[прояснить]. Между базой и эмиттером транзистора Q2 обычно включают резистор с небольшим сопротивлением. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора, так как неосновные носители, накопленные в базе VT2 при его запирании из режима насыщения не только рассасываются, но и стекают через этот резистор. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной проводимости.[уточнить] Каскодный усилитель на биполярных n-p-n транзисторах. Иногда в схеме для ускорения закрывания выходного транзистора и снижения влияния начального тока входного транзистора используется резистивная нагрузка эмиттера входного транзистора, как показано на рисунке. Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β{\displaystyle \beta }, значительно больший, чем у его обоих транзисторов.

Поэтому в относительно сильноточных и высоковольтных схемах, где требуется снизить управляющий ток, используются пары Дарлингтона или пары Шиклаи. Каскад с эмиттерным входом 10-1. Область средних частот 10-2. Передача фронта импульса 10-3. Каскад с эмиттерной связью 10-4. Каскад Глава одиннадцатая. Дифференциальный каскад 14-1. Введение 14-2. Общие свойства 14-3. Усилительные параметры 14-4. Точностные параметры 14-5. Эволюция схемы и параметров 14-6. Операционные усилители 14-7. Каскад на МДП транзисторах ИМПУЛЬСНЫЕ СХЕМЫ Глава пятнадцатая.

Похожие записи: